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Si2367DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
12
V GS = 5 V thru 2.5 V
2.5
2.0
9
V GS = 2 V
1.5
6
1.0
T C = 25 °C
3
V GS = 1.5 V
0.5
T C = 125 °C
0
V GS = 0.5 V, 1 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.20
0.16
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
960
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.12
0.0 8
0.04
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
720
4 8 0
240
C iss
C oss
C rss
0.00
0
0.0
1.6
3.2
4. 8
6.4
8 .0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8 .0
I D = 2.5 A
6.4
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = - 2.5 A
V GS = - 4.5 V
V DS = 5 V
4. 8
V DS = 10 V
1.2
V GS = - 1.8 V
3.2
1.6
0.0
V DS = 15 V
1.0
0. 8
0.6
0.0
3.4
6. 8
10.2
13.6
17.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65015
S09-1218-Rev. A, 29-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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